制造商型号： | CSD23201W10 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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TI(德州仪器) CSD23201W10
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CSD23201W10 中文资料
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CSD23201W10 规格参数
属性
参数值
制造商型号
CSD23201W10
制造商
TI(德州仪器)
商品描述
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
82mOhm @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
-6V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
325pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
4-DSBGA (1x1)
封装/外壳
4-UFBGA, DSBGA
CSD23201W10 引脚图与封装图
CSD23201W10引脚图
CSD23201W10封装图
CSD23201W10封装焊盘图
品牌其他型号
CSD23201W10品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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