制造商型号： | TPN5900CNH,L1Q |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Toshiba(东芝) TPN5900CNH,L1Q
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TPN5900CNH,L1Q 中文资料
数据手册PDF
TPN5900CNH,L1Q 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Triple
下降时间 4.5 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
库存： 4973
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 16.232635 | 16.23 |
| 10 | 14.513178 | 145.13 |
| 100 | 11.315951 | 1131.60 |
| 500 | 9.347594 | 4673.80 |
| 1000 | 7.379717 | 7379.72 |
| 2000 | 6.887808 | 13775.62 |
品牌其他型号
TPN5900CNH,L1Q品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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