TPN5900CNH,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

8-TSON高级

表面贴装型 N 通道 9A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）

得捷:
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON

贸泽:
MOSFET UMOSVIII 150V 59mOhm VGS=10V TSON-ADV

TPN5900CNH,L1Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 39 W

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 600pF @75VVds

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta, 39W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSON-Advance-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TPN5900CNH,L1Q引脚图与封装图

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