制造商型号: | SI3456DDV-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI3456DDV-T1-GE3
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SI3456DDV-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI3456DDV-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.3 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 2.8 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3456DDV-T1-BE3 SI3456DDV-GE3
单位重量 20 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.84665 | 2539.95 |
6000 | 0.79534 | 4772.04 |
15000 | 0.744031 | 11160.47 |
30000 | 0.682445 | 20473.35 |
75000 | 0.671346 | 50350.95 |
品牌其他型号
SI3456DDV-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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