制造商型号: | SI1499DH-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI1499DH-T1-E3
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SI1499DH-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI1499DH-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 2.78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1499DH-T1-BE3 SI1499DH-E3
单位重量 7.500 mg
库存: 3551
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.0857 | 8.09 |
10 | 7.163425 | 71.63 |
100 | 5.488169 | 548.82 |
500 | 4.338484 | 2169.24 |
1000 | 3.470786 | 3470.79 |
品牌其他型号
SI1499DH-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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