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SPP20N60S5

SPP20N60S5

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列


立创商城:
SPP20N60S5


得捷:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS S5 系列 N沟道 MOSFET SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V


儒卓力:
**CoolMOS 600V 20A 190mOhm TO220 **


力源芯城:
600V,20A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB


SPP20N60S5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.0 A

额定功率 208 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 3.00 nF

栅电荷 103 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SPP20N60S5引脚图与封装图
SPP20N60S5引脚图

SPP20N60S5引脚图

SPP20N60S5封装图

SPP20N60S5封装图

SPP20N60S5封装焊盘图

SPP20N60S5封装焊盘图

在线购买SPP20N60S5
型号 制造商 描述 购买
SPP20N60S5 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号SPP20N60S5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPP20N60S5

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 600V 20A 3nF

当前型号

Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号： STP10P6F6

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 P-CH 60V 10A

功能相似

P沟道60 V ， 0.15 I© （典型值） ， 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Ω typ., 10 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages

SPP20N60S5和STP10P6F6的区别

型号： SPW16N50C3FKSA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-247 N-Channel 560V 16A

功能相似

Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 MOSFET SPW16N50C3FKSA1, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装

SPP20N60S5和SPW16N50C3FKSA1的区别

型号： SIHP22N60E-GE3

品牌： 威世

封装： TO-220AB N-Channel

功能相似

VISHAY  SIHP22N60E-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3

SPP20N60S5和SIHP22N60E-GE3的区别