FCP190N60、SPP20N60C3XKSA1、SPP20N60S5对比区别

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型号 FCP190N60 SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60S5

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP190N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 VINFINEON  SPP20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 650 V

额定电流 - - 20.0 A

额定功率 - - 208 W

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.17 Ω 0.19 Ω 190 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 208 W 208 W 208 W

阈值电压 2.5 V 3 V 4.5 V

输入电容 - - 3.00 nF

栅电荷 - - 103 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

连续漏极电流(Ids) 20.2A 20.7A 20.0 A

上升时间 - 5 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 2950pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 208 W 208 W 208 W

下降时间 - 4.5 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) 208W (Tc) 208W (Tc) 208W (Tc)

长度 10.67 mm 10 mm 10 mm

宽度 4.83 mm 4.4 mm 4.4 mm

高度 16.51 mm 15.65 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/12/17

ECCN代码 - - EAR99