制造商型号： | SIHA18N60E-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHA18N60E-E3
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SIHA18N60E-E3 中文资料
数据手册PDF
SIHA18N60E-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 176 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 24 ns
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 971
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 47.036233 | 47.04 |
| 10 | 42.290106 | 422.90 |
| 100 | 34.643884 | 3464.39 |
| 500 | 29.491716 | 14745.86 |
品牌其他型号
SIHA18N60E-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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