制造商型号： | IRFI630GPBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) IRFI630GPBF
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IRFI630GPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFI630GPBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 5.9 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.729478 | 19.73 |
| 10 | 17.729779 | 177.30 |
| 100 | 14.251372 | 1425.14 |
| 500 | 11.70901 | 5854.50 |
| 1000 | 9.70182 | 9701.82 |
品牌其他型号
IRFI630GPBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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