制造商型号： | SI5441BDC-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI5441BDC-T1-GE3
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SI5441BDC-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI5441BDC-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.1 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5441BDC-GE3
单位重量 85 mg
库存： 2978
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.838747 | 13.84 |
| 10 | 12.393091 | 123.93 |
| 25 | 11.762934 | 294.07 |
| 100 | 8.822201 | 882.22 |
| 250 | 8.73818 | 2184.55 |
| 500 | 7.477866 | 3738.93 |
| 1000 | 6.091519 | 6091.52 |
品牌其他型号
SI5441BDC-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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