SI5441BDC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 12 V
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids 61.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装公制 3216
封装 1206
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1.1 mm
封装公制 3216
封装 1206
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5441BDC-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5441BDC-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI5441BDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 61A, 1206 | 搜索库存 |