制造商型号: | SI2369BDS-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30 V SOT-23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI2369BDS-T1-GE3
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SI2369BDS-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI2369BDS-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 12.9 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
SI2369BDS-T1-GE3 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.980571 | 2941.71 |
6000 | 0.939857 | 5639.14 |
9000 | 0.845807 | 7612.26 |
30000 | 0.833329 | 24999.87 |
75000 | 0.783202 | 58740.15 |
品牌其他型号
SI2369BDS-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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