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IXYS(艾赛斯.力特) IXFR64N50P

IXYS(艾赛斯.力特) IXFR64N50P
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXFR64N50P

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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IXFR64N50P 中文资料

数据手册PDF

IXFR64N50P 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 HiPerFET

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 500 V

漏极电流 35 A

漏源电阻 95 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 150 nC

耗散功率 300 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 22 ns

正向跨导(Min) 50 S

上升时间 25 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 85 ns

典型接通延迟时间 30 ns

外形参数

高度 21.34 mm

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

库存: 570

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

30 个

整装:

¥10
单价:¥141.723592 总价:¥4251.71
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
30 141.723592 4251.71
品牌其他型号
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