IXFR64N50P

IXYS Semiconductor 分立器件

IXYS SEMICONDUCTOR IXFR64N50P MOSFET Transistor, N Channel, 35A, 500V, 95mohm, 10V, 5.5V

N-Channel 500V 35A Tc 300W Tc Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 37A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 37A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXFR64N50P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 64.0 A

漏源极电阻 0.095 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 5.5 V

输入电容 8.70 nF

栅电荷 150 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

隔离电压 2.50 kV

输入电容Ciss 8700pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

IXFR64N50P引脚图与封装图

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