制造商型号: | SIRA52DP-T1-RE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIRA52DP-T1-RE3
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SIRA52DP-T1-RE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 97.5 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 6000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥8.175361 总价:¥49052.17 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
6000 | 8.175361 | 49052.17 |
品牌其他型号
SIRA52DP-T1-RE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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