制造商型号： | SSM6K217FE,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) SSM6K217FE,LF
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SSM6K217FE,LF 中文资料
数据手册PDF
SSM6K217FE,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 1.8 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 1.1 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 4000 | 0.566409 | 2265.64 |
| 8000 | 0.521235 | 4169.88 |
| 12000 | 0.469112 | 5629.34 |
| 28000 | 0.462162 | 12940.54 |
| 100000 | 0.427413 | 42741.30 |
品牌其他型号
SSM6K217FE,LF品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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