制造商型号： | IXTA3N100P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA3N100P
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IXTA3N100P 中文资料
数据手册PDF
IXTA3N100P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 3 A
漏源电阻 4.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 22 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.41 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 200
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 50 | 32.805242 | 1640.26 |
品牌其他型号
IXTA3N100P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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