制造商型号： | IXTA3N120-TRL |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA3N120-TRL
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IXTA3N120-TRL 中文资料
数据手册PDF
IXTA3N120-TRL 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 3 A
漏源电阻 4.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 1.5 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥97.715554 总价：￥97.72 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 97.715554 | 97.72 |
| 10 | 88.233098 | 882.33 |
| 100 | 73.049604 | 7304.96 |
品牌其他型号
IXTA3N120-TRL品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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