制造商型号: | CSD25481F4 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD25481F4
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CSD25481F4 中文资料
数据手册PDF
CSD25481F4 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 913 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.7 ns
正向跨导(Min) 3.3 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16.9 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
外形参数
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
库存: 80403
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.686156 | 5.69 |
10 | 4.239895 | 42.40 |
100 | 2.639118 | 263.91 |
500 | 1.805478 | 902.74 |
1000 | 1.388906 | 1388.91 |
品牌其他型号
CSD25481F4品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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