制造商型号: | IRF630STRLPBF |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) IRF630STRLPBF
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IRF630STRLPBF 中文资料
数据手册PDF
IRF630STRLPBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
800 | 6.56255 | 5250.04 |
1600 | 5.568211 | 8909.14 |
2400 | 5.28975 | 12695.40 |
5600 | 5.090911 | 28509.10 |
品牌其他型号
IRF630STRLPBF品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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