IRF630STRLPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 3000 mW
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 800pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF630STRLPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF630STRLPBF
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRF630STRLPBF | Vishay Semiconductor 威世 | 功率MOSFET Power MOSFET | 搜索库存 |