制造商型号： | CSD17381F4 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD17381F4
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CSD17381F4 中文资料
数据手册PDF
CSD17381F4 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.1 A
漏源电阻 109 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 1.04 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导（Min） 4.8 S
上升时间 1.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.8 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
规格参数
开发套件 CSD1FNCHEVM-889
外形参数
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
库存： 549
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.969411 | 4.97 |
| 10 | 3.779064 | 37.79 |
| 100 | 2.351803 | 235.18 |
| 500 | 1.609165 | 804.58 |
| 1000 | 1.23773 | 1237.73 |
品牌其他型号
CSD17381F4品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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