制造商型号: | RCX081N20 |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 200V 8A TO220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ROHM(罗姆) RCX081N20
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RCX081N20 中文资料
数据手册PDF
RCX081N20 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.25 V
栅极电荷 8.5 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
RCX081N20 引脚图与封装图
RCX081N20引脚图
RCX081N20封装图
RCX081N20封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.740055 | 7.74 |
10 | 6.351186 | 63.51 |
100 | 4.940615 | 494.06 |
500 | 4.187587 | 2093.79 |
1000 | 3.411194 | 3411.19 |
品牌其他型号
RCX081N20品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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