制造商型号： | TPN7R506NH,L1Q |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) TPN7R506NH,L1Q
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TPN7R506NH,L1Q 中文资料
数据手册PDF
TPN7R506NH,L1Q 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 53 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
上升时间 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
TPN7R506NH,L1Q 同类别型号
库存： 8880
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.119064 | 12.12 |
| 10 | 9.94258 | 99.43 |
| 100 | 7.737653 | 773.77 |
| 500 | 6.558641 | 3279.32 |
| 1000 | 5.342654 | 5342.65 |
| 2000 | 5.029412 | 10058.82 |
品牌其他型号
TPN7R506NH,L1Q品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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