TPN7R506NH,L1Q

Toshiba(东芝) 分立器件

8-TSON高级

表面贴装型 N 通道 60 V 26A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）

得捷:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

贸泽:
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 8-Pin TSON Embossed T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R

TPN7R506NH,L1Q中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 16 mΩ

耗散功率 42 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 5.7 ns

输入电容Ciss 1800pF @30VVds

下降时间 5.6 ns

耗散功率Max 700mW Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSON-Advance-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPN7R506NH,L1Q引脚图与封装图

暂无图片

在线购买TPN7R506NH,L1Q

型号	制造商	描述	购买
TPN7R506NH,L1Q	Toshiba 东芝	8-TSON高级	搜索库存