制造商型号： | CSD17577Q3AT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD17577Q3AT
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CSD17577Q3AT 中文资料
数据手册PDF
CSD17577Q3AT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 5.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 53 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 31 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.700 mg
库存： 2791
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 30.291299 | 30.29 |
| 10 | 19.306878 | 193.07 |
| 100 | 13.037497 | 1303.75 |
品牌其他型号
CSD17577Q3AT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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