制造商型号： | SI4048DY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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SILICONIX(威世) SI4048DY-T1-GE3
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SI4048DY-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI4048DY-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
19.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
85mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
51nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2060pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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SI4048DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
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