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Toshiba(东芝) TK35N65W,S1F

Toshiba(东芝) TK35N65W,S1F
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

TK35N65W,S1F

制造商:

Toshiba (东芝)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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TK35N65W,S1F 中文资料

数据手册PDF

TK35N65W,S1F 规格参数

关键信息

制造商 Toshiba

商标名 DTMOSIV

商标 Toshiba

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 35 A

漏源电阻 68 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3.5 V

栅极电荷 100 nC

耗散功率 270 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 1 N-Channel

外形参数

高度 20.95 mm

长度 15.94 mm

宽度 5.02 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥48.694841 总价:¥48.69

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 48.694841 48.69
10 43.968366 439.68
25 41.924756 1048.12
100 34.765684 3476.57
250 32.720644 8180.16
品牌其他型号
TK35N65W,S1F品牌厂家:Toshiba ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购TK35N65W,S1F、查询TK35N65W,S1F代理商; TK35N65W,S1F价格批发咨询客服;这里拥有 TK35N65W,S1F中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 TK35N65W,S1F替代型号TK35N65W,S1F数据手册PDF