制造商型号: | TK35N65W,S1F |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) TK35N65W,S1F
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TK35N65W,S1F 中文资料
数据手册PDF
TK35N65W,S1F 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 100 nC
耗散功率 270 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 48.694841 | 48.69 |
10 | 43.968366 | 439.68 |
25 | 41.924756 | 1048.12 |
100 | 34.765684 | 3476.57 |
250 | 32.720644 | 8180.16 |
品牌其他型号
TK35N65W,S1F品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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