TK35N65W,S1F

Toshiba(东芝) 分立器件

TO-247 N-CH 650V 35A

通孔 N 通道 650 V 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247

得捷:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247

贸泽:
MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TK35N65W,S1F中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 270 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 4100pF @300VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 270W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.94 mm

宽度 5.02 mm

高度 20.95 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

TK35N65W,S1F引脚图与封装图

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