制造商型号： | SIE882DF-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIE882DF-T1-GE3
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SIE882DF-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIE882DF-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PolarPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 229 A
漏源电阻 1.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 96 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIE882DF-GE3
单位重量 357 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥32.496334 总价：￥32.50 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 32.496334 | 32.50 |
| 10 | 29.172563 | 291.73 |
| 100 | 23.449254 | 2344.93 |
| 500 | 19.266001 | 9633.00 |
| 1000 | 16.51382 | 16513.82 |
品牌其他型号
SIE882DF-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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