SIE882DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 25.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 170 ns
下降时间 85 ns
封装参数
引脚数 10
封装 PolarPAK-10
外形尺寸
封装 PolarPAK-10
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIE882DF-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE882DF-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道25 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 25-V D-S MOSFET | 搜索库存 |