制造商型号: | SI4401FDY-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CHAN 40V SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI4401FDY-T1-GE3
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SI4401FDY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4401FDY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 14.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns, 39 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 6 ns, 75 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns, 44 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 44922
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.446706 | 10.45 |
10 | 9.091122 | 90.91 |
100 | 6.296628 | 629.66 |
500 | 5.26141 | 2630.70 |
1000 | 4.477657 | 4477.66 |
品牌其他型号
SI4401FDY-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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