制造商型号： | CSD19505KCS |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 80V 150A TO-220 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD19505KCS
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CSD19505KCS 中文资料
数据手册PDF
CSD19505KCS 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 262 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
CSD19505KCS 引脚图与封装图
CSD19505KCS引脚图
CSD19505KCS封装图
CSD19505KCS封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.72649 | 21.73 |
| 10 | 19.537174 | 195.37 |
| 100 | 16.006264 | 1600.63 |
| 500 | 13.626118 | 6813.06 |
| 1000 | 11.491913 | 11491.91 |
品牌其他型号
CSD19505KCS品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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