制造商型号: | IXFH18N60P |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFH18N60P
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IXFH18N60P 中文资料
数据手册PDF
IXFH18N60P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 21 ns
外形参数
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 43.568988 | 43.57 |
10 | 39.376501 | 393.77 |
100 | 32.599331 | 3259.93 |
500 | 28.38684 | 14193.42 |
1000 | 24.724031 | 24724.03 |
品牌其他型号
IXFH18N60P品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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