IXFH18N60P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH18N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 360 W
输入电容 2.50 nF
栅电荷 50.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
额定功率Max 360 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH18N60P引脚图与封装图
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在线购买IXFH18N60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH18N60P | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 600V 18A | 搜索库存 |
替代型号IXFH18N60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH18N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 18A 400mΩ 2.5nF | 当前型号 | TO-247AD N-CH 600V 18A | 当前型号 |
| 型号： IXTQ18N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 600V 18A 2.5nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin3+Tab TO-3P | IXFH18N60P和IXTQ18N60P的区别 |
| 型号： IXFV18N60PS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS-220SMD N-Channel 600V 18A 400mohms 2.5nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | IXFH18N60P和IXFV18N60PS的区别 |
| 型号： IXTV18N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： 600V 18A 2.5nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin3+Tab PLUS 220 | IXFH18N60P和IXTV18N60P的区别 |