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Toshiba(东芝) TPN22006NH,LQ

Toshiba(东芝) TPN22006NH,LQ
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

TPN22006NH,LQ

制造商:

Toshiba (东芝)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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TPN22006NH,LQ 中文资料

TPN22006NH,LQ 规格参数

关键信息

制造商 Toshiba

商标名 U-MOSVIII-H

商标 Toshiba

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 21 A

漏源电阻 18 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 12 nC

耗散功率 18 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 3.3 ns

上升时间 4.6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 13 ns

典型接通延迟时间 13 ns

外形参数

高度 0.85 mm

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 20 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥11.243978 总价:¥11.24

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 11.243978 11.24
10 9.872461 98.72
100 7.565592 756.56
500 5.980314 2990.16
1000 4.784251 4784.25
品牌其他型号
TPN22006NH,LQ品牌厂家:Toshiba ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购TPN22006NH,LQ、查询TPN22006NH,LQ代理商; TPN22006NH,LQ价格批发咨询客服;这里拥有 TPN22006NH,LQ中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 TPN22006NH,LQ替代型号TPN22006NH,LQ数据手册PDF