TPN22006NH,LQ

Toshiba(东芝) 分立器件

Mosfet n Ch 60V 9A 8-Tson

N-Channel 60V 9A Ta 700mW Ta, 18W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON

DeviceMart:
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

TPN22006NH,LQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 700mW Ta, 18W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 710pF @30VVds

额定功率Max 18 W

耗散功率Max 700mW Ta, 18W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TPN22006NH,LQ引脚图与封装图

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