制造商型号： | RSJ650N10TL |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 65A LPTS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RSJ650N10TL
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RSJ650N10TL 中文资料
数据手册PDF
RSJ650N10TL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 260 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RSJ650N10
单位重量 4 g
库存： 1209
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 46.255884 | 46.26 |
品牌其他型号
RSJ650N10TL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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