RSJ650N10TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSJ650N10TL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 9.1 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 65A
上升时间 170 ns
输入电容Ciss 10780pF @25VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 480 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2018/01/15
RSJ650N10TL引脚图与封装图 
RSJ650N10TL引脚图
RSJ650N10TL封装图
RSJ650N10TL封装焊盘图
在线购买RSJ650N10TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |