制造商型号： | SIRA60DP-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIRA60DP-T1-GE3
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SIRA60DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIRA60DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 940 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 125 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIRA60DP-T1-GE3 同类别型号
库存： 11641
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.176894 | 19.18 |
| 10 | 17.18818 | 171.88 |
| 100 | 13.401335 | 1340.13 |
| 500 | 11.070277 | 5535.14 |
| 1000 | 8.739692 | 8739.69 |
品牌其他型号
SIRA60DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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