制造商型号: | ZXMHC10A07T8TA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZXMHC10A07T8TA
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ZXMHC10A07T8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMHC10A07T8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.1 A
漏源电阻 700 mOhms, 1 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.9 nC, 3.5 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 2.1 ns, 3.3 ns
正向跨导(Min) 1.6 S, 1.2 S
上升时间 1.5 ns, 2.1 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.1 ns, 5.9 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 1.6 ns
外形参数
高度 1.6 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 117 g
库存: 8430
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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ZXMHC10A07T8TA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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