SIRA60DP-T1-GE3

VISHAY(威世) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 780 µohm, 10 V, 2.2 V

MOSFET 30V N-CHAN PowerPAK SO-8

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N沟道 30V 100A

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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 780 µohm, 10 V, 2.2 V

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

SIRA60DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 30 V

反向恢复时间 63 ns

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 7650pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SIRA60DP-T1-GE3引脚图与封装图

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