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IXYS(艾赛斯.力特) IXTH3N200P3HV

IXYS(艾赛斯.力特) IXTH3N200P3HV
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXTH3N200P3HV

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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IXTH3N200P3HV 中文资料

IXTH3N200P3HV 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 Polar3

商标 IXYS

产品 Power MOSFET Modules

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 2 kV

漏极电流 3 A

漏源电阻 8 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 70 nC

耗散功率 520 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 60 ns

上升时间 27 ns

典型关闭延迟时间 67 ns

典型接通延迟时间 21 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

类型 High Voltage

单位重量 6 g

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥396.751817 总价:¥396.75

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 396.751817 396.75
10 365.935902 3659.36
100 312.486229 31248.62
500 283.704361 141852.18
品牌其他型号
IXTH3N200P3HV品牌厂家:IXYS ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IXTH3N200P3HV、查询IXTH3N200P3HV代理商; IXTH3N200P3HV价格批发咨询客服;这里拥有 IXTH3N200P3HV中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IXTH3N200P3HV替代型号IXTH3N200P3HV数据手册PDF