IXTH3N200P3HV
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH3N200P3HV中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 520W Tc
漏源极电压Vds 2000 V
输入电容Ciss 1860pF @25VVds
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH3N200P3HV引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH3N200P3HV | IXYS Semiconductor | 2000V 3A 8Ω N-ch TO-247 | 搜索库存 |