制造商型号： | CSD18532KCS |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD18532KCS
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CSD18532KCS 中文资料
数据手册PDF
CSD18532KCS 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 169 A
漏源电阻 4.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导（Min） 187 S
上升时间 5.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24.2 ns
典型接通延迟时间 7.8 ns
外形参数
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
CSD18532KCS 引脚图与封装图
CSD18532KCS引脚图
CSD18532KCS封装图
CSD18532KCS封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.374623 | 13.37 |
| 10 | 11.093411 | 110.93 |
| 100 | 8.827251 | 882.73 |
| 500 | 7.469293 | 3734.65 |
| 1000 | 6.337545 | 6337.55 |
品牌其他型号
CSD18532KCS品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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