制造商型号: | FDB2614 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FDB2614
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FDB2614 中文资料
数据手册PDF
FDB2614 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 62 A
漏源电阻 22.9 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 99 nC
耗散功率 260 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 162 ns
正向跨导(Min) 72 S
上升时间 284 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 103 ns
典型接通延迟时间 77 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 1095
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 56.145011 | 56.15 |
10 | 47.15933 | 471.59 |
100 | 38.156299 | 3815.63 |
品牌其他型号
FDB2614品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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