制造商型号： | DMG6898LSDQ-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMG6898LSDQ-13
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DMG6898LSDQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMG6898LSDQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9.5 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 26 nC
耗散功率 1.28 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12.33 ns, 12.33 ns
上升时间 12.49 ns, 12.49 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.89 ns, 35.89 ns
典型接通延迟时间 11.67 ns, 11.67 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 2500 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥4.656984 总价：￥11642.46 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 4.656984 | 11642.46 |
| 5000 | 4.379591 | 21897.95 |
品牌其他型号
DMG6898LSDQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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