制造商型号： | CSD16327Q3T |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | CSD16327Q3T |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD16327Q3T
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CSD16327Q3T 中文资料
数据手册PDF
CSD16327Q3T 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.3 ns
正向跨导（Min） 96 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 44.500 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥18.039788 总价：￥18.04 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 18.039788 | 18.04 |
| 10 | 16.112249 | 161.12 |
| 100 | 12.567308 | 1256.73 |
品牌其他型号
CSD16327Q3T品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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