制造商型号: | SI7615ADN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SI7615ADN-T1-GE3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SI7615ADN-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SI7615ADN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7615ADN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 4.4 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns, 26 ns
正向跨导(Min) 82 S
上升时间 12 ns, 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns, 85 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 41 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7621DN-T1-GE3
单位重量 1 g
库存: 72050
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.94561 | 8.95 |
10 | 7.752862 | 77.53 |
100 | 5.364882 | 536.49 |
500 | 4.482496 | 2241.25 |
1000 | 3.814806 | 3814.81 |
品牌其他型号
SI7615ADN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购SI7615ADN-T1-GE3、查询SI7615ADN-T1-GE3代理商; SI7615ADN-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有
SI7615ADN-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
SI7615ADN-T1-GE3替代型号
、
SI7615ADN-T1-GE3数据手册PDF。