制造商型号: | TK62J60W,S1VQ |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N) |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) TK62J60W,S1VQ
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TK62J60W,S1VQ 中文资料
数据手册PDF
TK62J60W,S1VQ 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 61.8 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 310 ns
典型接通延迟时间 115 ns
外形参数
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
TK62J60W,S1VQ 引脚图与封装图
TK62J60W,S1VQ引脚图
TK62J60W,S1VQ封装图
TK62J60W,S1VQ封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 120.629941 | 120.63 |
10 | 110.874039 | 1108.74 |
100 | 93.64119 | 9364.12 |
500 | 83.300638 | 41650.32 |
1000 | 78.339124 | 78339.12 |
品牌其他型号
TK62J60W,S1VQ品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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